• <sub id="5bjjd"></sub>

      <video id="5bjjd"></video>

    <form id="5bjjd"></form>

    <track id="5bjjd"></track>

      <menuitem id="5bjjd"></menuitem>

        <video id="5bjjd"></video><span id="5bjjd"></span>

        <em id="5bjjd"><menuitem id="5bjjd"><pre id="5bjjd"></pre></menuitem></em>
        電話:0512-65821886 地址:蘇州市工業園區新平街388號騰飛創新園A1棟
        公司新聞

        第三代半導體材料的典型代表有哪些

        2022-03-28
        進入21世紀以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導體材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
         第三代半導體材料的典型代表有哪些
        博研認為相對于Si,SiC的優點很多:有10倍的電場強度,高3倍的熱導率,寬3倍禁帶寬度,高一倍的飽和漂移速度。
         
        因為這些特點,用SiC制作的器件可以用于極端的環境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經成熟的應用市場。42GHz頻率的SiC MESFET,用在了軍用相控陣雷達、通信廣播系統中,用SiC做為襯底的高亮度藍光LED則是全彩色大面積顯示屏的關鍵器件。
         
        現在,SiC半導體材料正在大舉進入功率半導體領域。一些知名的半導體器件廠商,如ROHM,英飛凌,Cree,飛兆等都在開發自己的SiC功率器件。SiC的市場頗為被看好,根據預測,到2022年,其市場規模將達到40億美元,年平均復合增長率可達到45%。
         
        說完了SiC,再來說說GaN。在上世紀90年代以前,因為缺乏合適的單晶沉底材料,而且位錯密度比較大,其發展緩慢,但進入90年代以后,其發展迅速,年均增長率達30%,已經成為大功率LED的關鍵性材料。
         
        同SiC一樣,GaN也開始進軍功率器件市場。雖然,2012年的GaN市場上,IR和EPC公司是僅有的兩家器件供應商,但是到明年,可能會有多家公司推出自己的產品。如果這些廠家在2014年擴充產能,在2015年推出600V耐壓的GaN功率器件,整個市場的發展空間將得到極大地擴充。
         
        GaN的起步較SiC為早,但是SiC的發展勢頭更快。在早期,兩者因應用領域不同,直接競爭的機會并不大。但隨著功率半導體市場向兩者打開,面對面競爭就不可避免了。工業、新能源領域已經成為兩者的戰場,而在汽車領域,因為價格原因,廠商雖愿意采用傳統的Si器件。不過,隨著GaN和SiC的快速發展,成本越來越接近Si器件,大規模登陸這個市場的時間應該不遠了。
         
        現在,Si晶圓的主流尺寸已經達到300mm(12英寸),但是SiC和GaN只能做到150mm(6英寸),這個差別的彌補還是需要一段時間的。但是對于半導體材料界,投資者和大眾來說,出現了能挑戰傳統勢力的新貴,還是非常有意義的。在持續的關注和投入下,這兩者肯定能開出絢爛的花朵。
         

        上一篇:光刻板的技術含量高不高          下一篇:光刻板與光刻工藝有什么關聯
        亚洲成AV人影院在线观看_国产第7页屁屁影院_国产av高清无亚洲_av在线播放无码线